ISL9K3060G3 — STEALTH? Dual Diode
Typical Performance Curves
Figure 1. Forward Current vs Forward Voltage Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. ta
and t
b
Curves vs Forward Current
Figure 4. ta
and t
b
Curves vs dI
F/dt
Figure 5. Maximum Reverse Recovery Current vs
Forward Current
Figure 6. Maximum Reverse Recovery Current vs
dIF/dt
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
60
50
40
0
0 1.0 2.0 3.00.5 1.5 2.5
30
20
10
25oC
175oC
100oC
150oC
125oC
10
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (μA)
100
100 200 500 600300
400
1000
1
0.1
175oC
25oC
100oC
5000
75oC
150oC
125oC
IF, FORWARD CURRENT (A)
0
0
20
40
60
80
100
VR
= 390V, T
J
= 125
oC
10 30 40 5020 60
t, RECOVERY TIMES (ns)
90
tb
AT dI
F/dt = 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
ta
AT dI
F/dt = 200A/μs, 500A/μs, 800A/μs
70
50
30
10
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
0
20
40
60
80
120
t, RECOVERY TIMES (ns)
VR
= 390V, T
J
= 125
oC
tb
AT I
F
= 60A, 30A, 15A
200 600 800 12001000 16001400
400
ta
AT I
F
= 60A, 30A, 15A
100
IF, FORWARD CURRENT (A)
4
0
020 6010 30 40 50
200
8
10
12
14
18
20
I
RR
, MAX REVERSE
RECO
VERY
CURRE
NT
(
A)
dIF/dt = 800A/μs
dIF/dt = 500A/μs
dIF/dt = 200A/μs
VR
= 390V, T
J
= 125
oC
6
16
dIF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
5
10
15
20
25
1000 16001200
1400
VR
= 390V, T
J
= 125
oC
IF
= 60A
IF
= 15A
I
RR
, MAX
REVE
RSE
RECOVERY
CURREN
T
(
A)
400
600 800
30
IF
= 30A
?2001
Fairchild
Semiconductor Corporation
ISL9K3060G3
Rev.
C1
www.fairchildsemi.com
3
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